Étude des propriétés de Spin des matériaux à base de nitrures fortement dilués
GaAsN massif et puits quantique InGaAsN/GaAs
Collaborations :
V. Kalevich , E. Ivchenko , A. Shiryaev , A. Egorov, A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Politekhnicheskaja, S.Petersburg , Russia
JC Harmand LPN CNRS, Marcoussis
Technique : Photoluminescence résolue en temps et en polarisation (ps), photoconductivité résolue en polarisation
Références :
L. Lombez et al., Appl. Phys. Lett. 87, 252115 (2005)
D. Lagarde et al., Physica Status Solidi a, 204, N°1, 208-220 (2007)
X. J.Wang, I. A. Buyanova, F. Zhao, D. Lagarde, A. Balocchi, X. Marie, C.W. Tu, J. C. Harmand and W. M. Chen, Nature Materials 8, 198 (2009)