Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

Institut National des Sciences Appliquées
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Thématiques de recherche

Etude de l’injection et de la détection électrique de courants polarisés en spin à l’interface métal ferromagnétique /semi-conducteur

a) Injection électrique de spin Etude de l’injection de spin à travers les interfaces Schottky Co/AlGaAs dopé n, Co/ GaAs dopé n, et des interfaces à base de barrières tunnel isolantes Co/Al2O3/GaAs, Co/Al2O3/AlGaAs et CoFe/MgOGaAs, CoFeB/MgO/GaAs injection dans des puits quantique GaAs/AlGaAs et (...)

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Etude des propriétés de Spin des matériaux à base de nitrures fortement dilués : GaAsN massif et puits quantique InGaAsN/GaAs

Collaborations : V. Kalevich , E. Ivchenko , A. Shiryaev , A. Egorov, A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Politekhnicheskaja, S.Petersburg , Russia JC Harmand LPN CNRS, Marcoussis Technique : Photoluminescence résolue en temps et en polarisation (ps), photoconductivité résolue en (...)

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Etudes des propriétés de spin de nouveaux matériaux à Grands Gaps pour la Spintronique : boîtes quantiques de GaN (cubique ou wurtzite) et ZnO massif.

a) Contrôle de la polarisation en spin des excitons dans de structure p-i-n à base de boîtes quantiques wurtzite InGaN/GaN par application d’un champ électrique externe. b) Etude de la dynamique de spin dans les boîtes quantiques cubique GaN/AlN Collaboration : H. Mariette, Intitut Néel (...)

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Etudes des propriétés Optiques et de Spin dans les boîtes quantiques semi-conductrices

a) Interactions entre spins d’électrons et spin nucléaires dans des boîtes quantiques uniques d’InAs/GaAs (mode de croissance Stranski-Krastanow) et GaAs/AlGaAs (croissance par « dropplet epitaxy ») Objectifs : Manipulation du spin d’un électron en interaction avec 10^5 spins nucléaires dans une (...)

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Nouveaux Matériaux Semi-conducteurs pour les télécommunications Optiques, le Spatial et le Photovoltaïque

Collaborations : Télécommunications : Alcatel-Thales III-V Lab (Marcoussis) ; France Télécom R&D (Lannion) ; ENST (Paris) ; IEMN (Lille) Spatial : CNES Photovoltaïque : ONERA, EDF Technique : Modélisation par méthode kp, Photoluminescence résolue en temps (ps), photocourant, Mesures de (...)

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Study of excitonic and spin-valley properties in transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers

CONTEXT. Layered materials are known for centuries. Nevertheless, the potential of these materials has been re-considered during the past decade thanks to the investigation of individual layers obtained by mechanical or chemical exfoliation. When thinned down to one monolayer, these materials (...)

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