Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

Institut National des Sciences Appliquées
135 avenue de Rangueil, 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - FRANCE
Tél : 00 33 05 61 55 96 45 | Fax : (+33) (0)5 61 55 96 97

Partenaires

CNRS
INSA


Choisir la langue du site


          Version Française           English Version

Rechercher

Sur ce site



Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2011 > Modeling stress retarded self-limiting oxidation of suspended silicon nanowires for the development of silicon nanowire-based nanodevices

P.-F. Fazzini, C. Bonafos, A. Claverie, A. Hubert, T. Ernst, M. Respaud

Modeling stress retarded self-limiting oxidation of suspended silicon nanowires for the development of silicon nanowire-based nanodevices

J. Appl. Phys. 110, 033524 (2011)

Dans la même rubrique :