Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

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Home page > LPCNO > Publications > Articles > 2002 > Growth mechanism of cavities in MeV helium implanted silicon.

J. GRISOLIA, S. GODEY, E. NTSOENZOK, F. LABHOM, A. VAN VEEN, BEN ASSAYAG G., CLAVERIE A.

Growth mechanism of cavities in MeV helium implanted silicon.

J. APPL. PHYS., Vol n°91, n°11, p.9027-9030, 1 June 2002.