Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

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Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2006 > Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin SiO2 layers.

H COFFIN, C. BONAFOS, S. SCHAMM, N. CHERKASHIN, G. BEN ASSAYAG, A. CLAVERIE, M. RESPAUD, P. DIMITRAKIS, P. NORMAND

Oxidation of Si nanocrystals fabricated by ultralow-energy ion implantation in thin SiO2 layers.

J. APPL. PHYS., 99, 44302 (2006)

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