Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

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Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2018 > Bismuth Content Dependence of the Electron Spin Relaxation Time in GaAsBi Epilayers and Quantum Well Structures

S. Azaizia, A. Balocchi, S. Mazzucato, F. Cadiz, F. Beato de le Salle, H. Lehec, A. Arnoult, D. Lagarde, T. Amand, C. Fontaine, H. Carrère, and X. Marie

Bismuth Content Dependence of the Electron Spin Relaxation Time in GaAsBi Epilayers and Quantum Well Structures

Voir en ligne : Semicond. Sci. Technol. 33, 114013 (2018),

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