Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

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Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2017 > Synthesis of Highly Anisotropic Semiconducting GaTe Nanomaterials and Emerging Properties Enabled by Epitaxy

Hui Cai, Bin Chen, Gang Wang, Emmanuel Soignard, Afsaneh Khosravi, Marco Manca, Xavier Marie, Shery L. Y. Chang, Bernhard Urbaszek, and Sefaattin Tongay

Synthesis of Highly Anisotropic Semiconducting GaTe Nanomaterials and Emerging Properties Enabled by Epitaxy

Advanced Materials 29, 1605551 (2017)

Voir en ligne : http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/adma.201606370/full

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