Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

Institut National des Sciences Appliquées
135 avenue de Rangueil, 31077 TOULOUSE CEDEX 4 - FRANCE
Tél : 00 33 05 61 55 96 45 | Fax : (+33) (0)5 61 55 96 97

Partenaires

CNRS
INSA


Choisir la langue du site


          Version Française           English Version

Rechercher

Sur ce site



Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2014 > Effect of the nitrogen incorporation and fast carrier dynamics in (In,Ga)AsN/GaP self-assembled quantum dots

JP. Gauthier, C. Robert, S. Almosni, Y. Leger, M. Perrin, J. Even, A. Balocchi, H. Carrere, , X. Marie, C. Cornet, O. Durand

Effect of the nitrogen incorporation and fast carrier dynamics in (In,Ga)AsN/GaP self-assembled quantum dots

Applied Physics Lett. 105, 243111 (2014)

Voir en ligne : http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/105/24/10.1063/1.4904939

Dans la même rubrique :