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Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2014 > Molecular beam epitaxy and properties of GaAsBi/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy : effect of thermal annealing

Hajer Makhloufi, Poonyasiri Boonpeng, Simone Mazzucato, Julien Nicolai, Alexandre Arnoult, Teresa Hungria, Guy Lacoste, Christophe Gatel, Anne Ponchet, Hélène Carrère, Xavier Marie and Chantal Fontaine

Molecular beam epitaxy and properties of GaAsBi/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy : effect of thermal annealing

Nanoscale ResearchLetters 9, 123 (2014)

Voir en ligne : http://www.nanoscalereslett.com/content/9/1/123

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