Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-objets

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Accueil du site > LPCNO > Publications > Articles > 2013 > Reduction of defect density by rapid thermal annealing in GaAsBi studied by time-resolved photoluminescence

S Mazzucato, P Boonpeng, H Carrère, D Lagarde, A Arnoult, G Lacoste, T Zhang, A Balocchi, T Amand, X Marie and C Fontaine

Reduction of defect density by rapid thermal annealing in GaAsBi studied by time-resolved photoluminescence

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 28, 022001 (2013)

Voir en ligne : doi:10.1088/0268-1242/28/2/022001

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